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    MCP

    MCP (Multiple Chip Package) 存儲器是在一個塑料封裝外殼內,垂直堆疊大小不同的各類存儲器或非存儲器芯片,是一種一級單封裝的混合技術,用此方法節約小巧印刷電路板PCB空間。集成電路封裝技術一直追隨芯片的發展而進展,封裝密度不斷提高,從單芯片封裝向多芯片封裝拓展,市場化對接芯片與應用需求,兼容芯片的數量集成和功能集成,為封裝領域提供出又一種不同的創新方法。 手機器件的典型劃分方式包括數字基帶處理器、模擬基帶、存儲器、射頻和電源芯片。掉電數據不丟失的非易失性閃存以其電擦除、微功耗、大容量、小體積的優勢,在手機存儲器中獲得廣泛應用。每種手機都強調擁有不同于其他型號的功能,這就使它需要某種特定的存儲器。日趨流行的多功能高端手機需要更大容量、更多類型高速存儲器子系統的支撐。
    封裝集成有靜態隨機存取存儲器(SRAM)和閃存的MCP,就是為適應2.5G、3G高端手機存儲器的低功耗、高密度容量應用要求而率先發展起來的,也是閃存實現各種創新的積木塊。 國際市場上,手機存儲器MCP的出貨量增加一倍多,廠商的收益幾乎增長三倍,一些大供應商在無線存儲市場出貨的90%是MCP,封裝技術與芯片工藝整合并進。
    MCP關鍵技術半導體圓片后段制程技術加速發展,容許在適當的結構中,將某些、某類芯片整合在單一的一級封裝內,結構上分為金字塔式和懸梁式堆疊兩種,前者特點是從底層向上芯片尺寸越來越小,后者為疊層的芯片尺寸一樣大。MCP日趨定制化,能給顧客提供獨特的應用解決方案,比單芯片封裝具有更高的效率,其重要性與日劇增,所涉及的關鍵工藝包括如何確保產品合格率,減薄芯片厚度,若是相同芯片的層疊組裝和密集焊線等技術。

     JSC濟州半導體NAND MCP 

    nand mcp NAND MCP + LPDDR 容量
    NAND 1.8V+ LPDDR4x 1.8V MCP

    4Gb + 4Gb

    4Gb + 2Gb

     
    NAND 1.8V+ LPDDR2 1.2V MCP

    4Gb + 4Gb

    4Gb + 2Gb

    2Gb + 2Gb 

    2Gb + 1Gb

    1Gb + 1Gb/512Mb
    NAND 1.8V+ LPDDR1 1.8V MCP

    4Gb + 2Gb

    2Gb + 1Gb

    1Gb + 512Mb

    1Gb + 256Mb

     

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